NSBA123EDXV6T5G

NSBA123EDXV6T5G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NSBA123EDXV6T5G
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NSBA123EDXV6T5G
Конфигурация Dual Полярность транзистора PNP
Типичное входное сопротивление 2.2 KOhms Типичный коэффициент деления резистора 1
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-563-6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Непрерывный коллекторный ток - 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA Рассеяние мощности 357 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 8000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MTCDP-E1-GP-NAM MTCDP-E1-GP-NAM Multi-Tech Systems Программное обеспечение для разработки EDGE Modem with GPS Bundle w/US Pwr Plug 395127.pdf
DAC7625PBG4 DAC7625PBG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12B Quad Vltg Output DAC 1678811.pdf
PEEL18CV8P-15L PEEL18CV8P-15L --- Программируемые логические интегральные схемы ---
5962-0824201HXA 5962-0824201HXA --- Оптопары и оптроны ---
EMIF02-USB05C2 EMIF02-USB05C2 --- ЭМП и РЧП ---