BFN 18 E6327
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BFN 18 E6327 | ||
| Описание: | Transistors Switching (Resistor Biased) NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BFN 18 E6327 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | SOT-89-4 |
| Максимальная рабочая частота | 70 MHz | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A | Рассеяние мощности | 1 W |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | Другие названия товара № | BFN18E6327HTSA1 BFN18E6327HTSA1, BFN18E6327XT SP000010997, |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
A1101R09A-EZ4E | Anaren | Радиочастотные средства разработки 900MHz Radio Only EZ-430 Mod End Point | 868478.pdf |
|
|
 |
FPBL10SH60 | Fairchild Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/10A/SPM | --- |
|
|
 |
THS4041IDG4 | Texas Instruments | Быстродействующие операционные усилители 165MHz | 848490.pdf |
|
|
|
|
UPC2768GR-E1 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
B43456A5228M | --- | Конденсаторы | --- |
|