BDP 950 E6327

BDP 950 E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BDP 950 E6327
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) PNP Silicon AF Power TRANSISTOR
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 9545660.pdf
Детальное описание компонента BDP 950 E6327
Конфигурация Single Dual Collector Полярность транзистора PNP
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-223-4
Максимальная рабочая частота 100 MHz Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A Рассеяние мощности 500 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Размер фабричной упаковки 1000 Другие названия товара № BDP950E6327HTSA1 BDP950E6327HTSA1, BDP950E6327XT SP000010939,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PCK12429BD,157 PCK12429BD,157 NXP Semiconductors Тактовые генераторы и продукция для поддержки 25-400MHZ DIFF PECL 6453585.pdf
C503B-ACN-CX0Z0341 C503B-ACN-CX0Z0341 --- Светодиодная индикация ---
XPEHEW-01-R250-00FD2 XPEHEW-01-R250-00FD2 --- Светодиоды высокой мощности ---
D330J20C0GH63L6R D330J20C0GH63L6R --- Конденсаторы ---
B39458M3954N201 B39458M3954N201 --- Формирование сигнала ---