PDTA123TM,315

PDTA123TM,315
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PDTA123TM,315
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) Trans Digital BJT PNP 50V 100mA
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 9526672.pdf
Детальное описание компонента PDTA123TM,315
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Типичное входное сопротивление 2.2 KOhms Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SC-101-3 Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA Рассеяние мощности 250 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 10000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ULN2003APG(SC,M) ULN2003APG(SC,M) Toshiba Transistors Darlington 7CH. 50V/.5A IFD IC ---
MC100LVEL39DWR2 MC100LVEL39DWR2 ON Semiconductor Тактовые генераторы и продукция для поддержки 3.3V ECL Clock ---
XRT83SL34IV-F XRT83SL34IV-F Exar Тактовый синтезатор/устройство подавления колебаний . . 6557898.pdf
DS1801E-014+T&R DS1801E-014+T&R Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры Dual Audio Taper Potentiometer 5061327.pdf
SN74AHCT132NSRE4 SN74AHCT132NSRE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad Positive-NAND Gate 8268885.pdf