EMD4DXV6T5G

EMD4DXV6T5G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: EMD4DXV6T5G
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) Dual Complementary NPN & PNP Digital
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента EMD4DXV6T5G
Конфигурация Dual Полярность транзистора NPN
Типичное входное сопротивление 47 KOhms at NPN, 10 KOhms at PNP Типичный коэффициент деления резистора 1 at NPN, 0.21 at PNP
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-553-5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA Рассеяние мощности 357 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 8000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SI4122M-EVB SI4122M-EVB Silicon Labs Радиочастотные средства разработки Single-Band GSM 890125.pdf
ispLSI 5512VE-100LB388 ispLSI 5512VE-100LB388 --- Программируемые логические интегральные схемы ---
AP1212LSL-13 AP1212LSL-13 --- Коммутационные микросхемы ---
HLMP-ED27-SVTDD HLMP-ED27-SVTDD --- Светодиодная индикация ---
E3F2-R2RC41 E3F2-R2RC41 --- Оптические детекторы и датчики ---