MUN5216DW1T1G

MUN5216DW1T1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MUN5216DW1T1G
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT Dual NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MUN5216DW1T1G
Конфигурация Dual Полярность транзистора NPN
Типичное входное сопротивление 4.7 KOhms Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363-6 Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Рассеяние мощности 187 mW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ADC12C170HFEB/NOPB ADC12C170HFEB/NOPB National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных ADC12C170HF EVAL BOARD 9623491.pdf
TT180N14KOF TT180N14KOF Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 1400V 285A DUAL ---
HFCT-721XPD HFCT-721XPD Avago Technologies Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы XFP 10km 10GFC/10GbE 0-70 ---
585-4413 585-4413 Dialight LED Источники света, не содержащие нитей накаливания MIN BAY BASED LED YELLOW 14V ---
OP770C OP770C --- Оптические детекторы и датчики ---