MUN5212DW1T1G

MUN5212DW1T1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MUN5212DW1T1G
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT Dual NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MUN5212DW1T1G
Конфигурация Dual Полярность транзистора NPN
Типичное входное сопротивление 22 KOhms Типичный коэффициент деления резистора 1
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-363-6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA Рассеяние мощности 187 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX9132GUP+ MAX9132GUP+ Maxim Integrated Products ИС интерфейса LVDS Programmable LVDS Crossbar Switch 7770212.pdf
74ACT377SJ 74ACT377SJ Fairchild Semiconductor Триггеры Oct D Type Flip-Flop 7866424.pdf
dsPIC33EP64MC503-I/TL dsPIC33EP64MC503-I/TL Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16b DSC 64KB FL 8KBR 60MHz 36P MCPWMQEI 5840215.pdf
H131CGDL-160 H131CGDL-160 --- Светодиодная индикация ---
LM285BYMX/NOPB LM285BYMX/NOPB --- Схемы управления питанием ---