DRA5123Y0L

DRA5123Y0L
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: DRA5123Y0L
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
Производитель: Panasonic Semiconductors
Спецификация: 9502962.pdf
Детальное описание компонента DRA5123Y0L
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Типичное входное сопротивление 2.2 KOhms Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SMini3-F2-B Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V
Непрерывный коллекторный ток - 100 mA Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка Reel Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAW 56 E6327 BAW 56 E6327 Infineon Technologies Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) AF DIODE 85V 0.2A ---
CY22381SXI-292T CY22381SXI-292T Cypress Semiconductor Тактовые генераторы и продукция для поддержки 3-PLL Gen Purpose FL Program Clk Gen 3.3V ---
MCP4461T-104E/ST MCP4461T-104E/ST Microchip Technology ИС, цифровые потенциометры 100k I2C Qd Ch 8bit Nonvolatile memory 5090024.pdf
74LX1G03CTR 74LX1G03CTR STMicroelectronics Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Single 2-Input NAND 8418167.pdf
CD4007UBM96E4 CD4007UBM96E4 Texas Instruments Специальные функциональные логические элементы CMOS Dual Comp Pair Plus Inverter 4478382.pdf