DRA2115G0L
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | DRA2115G0L | ||
| Описание: | Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm | ||
| Производитель: | Panasonic Semiconductors | ||
| Спецификация: | 9499796.pdf | ||
| Детальное описание компонента DRA2115G0L | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | PNP |
|---|---|---|---|
| Типичное входное сопротивление | 100 KOhms | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | Mini3-G3-B | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | - 100 mA | Рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Размер фабричной упаковки | 3000 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TDKFLEX110 | Microchip Technology | Панели и адаптеры Evidence FLEX110 multibus pack | --- |
|
|
 |
DDTA123JKA-7 | Diodes Inc. | Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 2.2KW 47KW | 9560829.pdf |
|
|
 |
PDTA123YM T/R | NXP Semiconductors | Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET TAPE-7 | --- |
|
|
 |
CY7C1354CV25-166BZC | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
VN02NPT13TR | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|