DRA2123E0L

DRA2123E0L
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: DRA2123E0L
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
Производитель: Panasonic Semiconductors
Спецификация: 9498844.pdf
Детальное описание компонента DRA2123E0L
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Типичное входное сопротивление 2.2 KOhms Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок Mini3-G3-B Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V
Непрерывный коллекторный ток - 100 mA Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка Reel Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IXGN72N60A3 IXGN72N60A3 Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 600V ---
DS4550E+ DS4550E+ Maxim Integrated Products Расширители ввода/вывода, ретрансляторы и концентраторы 9-Bit I2C/JTAG NV GPIO 4881517.pdf
MANI3910C MANI3910C --- Светодиодные дисплеи ---
PI3A125CEX PI3A125CEX --- Коммутационные микросхемы ---
VE-3R3M1JTR-0505 VE-3R3M1JTR-0505 --- Конденсаторы ---