DRA2123Y0L

DRA2123Y0L
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: DRA2123Y0L
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
Производитель: Panasonic Semiconductors
Спецификация: 9491032.pdf
Детальное описание компонента DRA2123Y0L
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Типичное входное сопротивление 2.2 KOhms Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок Mini3-G3-B Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V
Непрерывный коллекторный ток - 100 mA Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка Reel Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
VSKT250-08PBF VSKT250-08PBF Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 250 Amp 800 Volt 550 Amp IT(RMS) ---
CD74HCT166ME4 CD74HCT166ME4 Texas Instruments Регистры сдвига счетчика High Speed CMOS 8-Bit Shift Register 2051110.pdf
CD74HCT03M96E4 CD74HCT03M96E4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) High Speed CMOS Quad 2-Input NAND Gate 8192520.pdf
CD4030BMT CD4030BMT Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) CMOS Quad Exc-OR Gate 8229159.pdf
CY2XL12ZXI03 CY2XL12ZXI03 --- RF Semiconductors ---