PDTC123JE,115
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | PDTC123JE,115 | ||
| Описание: | Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET TAPE-7 | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента PDTC123JE,115 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Типичное входное сопротивление | 2.2 KOhms | Типичный коэффициент деления резистора | 0.047 |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | SOT-416-3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V | Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Другие названия товара № | PDTC123JE T/R | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Si4210-X-BO-EVB | Silicon Labs | Радиочастотные средства разработки Break out board for radio EVB | --- |
|
|
 |
dsPIC33FJ06GS202AT-E/TL | Microchip Technology | Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 40 MIPS 6 KB FL 1024Bytes RAM SMPS | 6146495.pdf |
|
|
|
|
MAX6427PTUR-T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
CY25812ZXCT | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
MX3AWT-A1-0000-000CA4 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|