MUN5312DW1T1G

MUN5312DW1T1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MUN5312DW1T1G
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA Complementary 50V NPN & PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MUN5312DW1T1G
Конфигурация Dual Полярность транзистора NPN/PNP
Типичное входное сопротивление 22 KOhms Типичный коэффициент деления резистора 1
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SC-88-6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA Рассеяние мощности 187 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LME49740MABD LME49740MABD National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров LME49740 EVAL BOARD 9254125.pdf
93LC56BT-E/ST 93LC56BT-E/ST --- Микросхемы памяти ---
120-104KAE-Q01 120-104KAE-Q01 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
C550 C550 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
2155-3/4" X 22FT 2155-3/4" X 22FT --- Ленты и мастики ---