MUN2112T1G

MUN2112T1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MUN2112T1G
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MUN2112T1G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Типичное входное сопротивление 22 KOhms Типичный коэффициент деления резистора 1
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SC-59
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA Рассеяние мощности 338 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
WAVEVSN BRD 4.4/NOPB WAVEVSN BRD 4.4/NOPB National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных WAVEVSN EVAL BOARD ---
XTH9-DK-128 XTH9-DK-128 Digi International Радиочастотные средства разработки XTend Dev Kit,915MHz 1W,115Kbps,for ANZ 993514.pdf
74HCT163PW-T 74HCT163PW-T NXP Semiconductors ИС, счетчики SYNC 4-BIT BINARY COUNTER 4953367.pdf
MAX5151ACEE+ MAX5151ACEE+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 13-Bit 2Ch Precision DAC 2157914.pdf
SN74LVC1G74DCUR SN74LVC1G74DCUR Texas Instruments Триггеры Sgl Pos-Edge-Trggrd 4526120.pdf