DRA5114E0L

DRA5114E0L
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: DRA5114E0L
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
Производитель: Panasonic Semiconductors
Спецификация: 9484704.pdf
Детальное описание компонента DRA5114E0L
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Типичное входное сопротивление 10 KOhms Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SMini3-F2-B Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V
Непрерывный коллекторный ток - 100 mA Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка Reel Размер фабричной упаковки 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
GT50J102(Q) GT50J102(Q) Toshiba Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A ---
MAX9719CETE+T MAX9719CETE+T Maxim Integrated Products Усилители звука Mono/Stereo 1.4W BTL Audio Power Amp 4177503.pdf
MAX517ACPA MAX517ACPA Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 2918746.pdf
AT93C86A-10PU-1.8 AT93C86A-10PU-1.8 --- Микросхемы памяти ---
CYIFS781BSXC CYIFS781BSXC --- RF Semiconductors ---