BFP 650 E6327
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BFP 650 E6327 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, кремний-германиевые GP BJT NPN 4V 0.15A NPN 4V 0.15A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BFP 650 E6327 | |||
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.2 V | Непрерывный коллекторный ток | 0.15 A |
|---|---|---|---|
| Рассеяние мощности | 500 mW | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-343 | Упаковка | Reel |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4 V | Максимальная рабочая частота | 37000 MHz |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | Другие названия товара № | BFP650E6327XT |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MCP4162T-103E/MS | Microchip Technology | ИС, цифровые потенциометры Sngl 7B NV SPI Rheo | 5109926.pdf |
|
|
 |
MC79L05F-TP | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
MAX6409BS41-T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
TPS22921YZPR | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
TCET1102 | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|