BFP 640 E6327

BFP 640 E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BFP 640 E6327
Описание: РЧ транзисторы, кремний-германиевые GP BJT NPN 4V 0.05A NPN 4V 0.05A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BFP 640 E6327
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1.2 V Непрерывный коллекторный ток 50 mA
Рассеяние мощности 200 mW Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-343 Упаковка Reel
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 4 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 3000
Другие названия товара № BFP640E6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MSC1211Y5PAGRG4 MSC1211Y5PAGRG4 Texas Instruments Системы преобразования данных Precision ADC & DACs w/8051 CPU & Flash 4262612.pdf
TSUS5401 TSUS5401 Vishay Semiconductors Инфракрасные излучатели 22 Degree 210mW 950nm 6164542.pdf
USB2227-NU-05 USB2227-NU-05 SMSC ИС, интерфейс USB USB 2.0 Flash Media Card 6297692.pdf
EA3-B2-24-660-22A-EB EA3-B2-24-660-22A-EB --- Автоматические выключатели ---
597-7701-202F 597-7701-202F --- Светодиодная индикация ---