BFR 35AP E6327

BFR 35AP E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BFR 35AP E6327
Описание: РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicon RF TRANSISTOR
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BFR 35AP E6327
Рассеяние мощности 280 mW Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Максимальная рабочая температура + 150 C Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327HTSA1, BFR35APE6327XT SP000011060,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
USB-USBD-LPC23X-P-P1-SNGL USB-USBD-LPC23X-P-P1-SNGL Micrium Программное обеспечение для разработки uC/USB Device Core NXP LPC23xx SPL 9280870.pdf
3N259-E4/51 3N259-E4/51 Vishay Semiconductors Мостовые выпрямители 2.0 Amp 1000 Volt 2774341.pdf
MID400-12E4 MID400-12E4 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 1200V ---
SN74LV221APWRG4 SN74LV221APWRG4 Texas Instruments Ждущий мультивибратор DUAL MONOSTABLE MULTIVIBRATORS 3805376.pdf
CC2400-RTR1 CC2400-RTR1 --- RF Semiconductors ---