BFP 650 H6327
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BFP 650 H6327 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BFP 650 H6327 | |||
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.2 V | Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
|---|---|---|---|
| Рассеяние мощности | 500 mW | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-343 | Упаковка | Reel |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4 V | Максимальная рабочая частота | 37 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | Другие названия товара № | BFP650H6327XT BFP650H6327XTSA1 BFP650H6327XTSA1, SP000750406, |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXSN80N60BD1 | Ixys | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 160 Amps 600V 2.5 Rds | --- |
|
|
|
|
LS110GXS-1CF269C | Lattice | ИС интерфейса LVDS 10 Gbps PHY Physical Layer Transceiver, 1.3V | 4879256.pdf |
|
|
|
|
B57861S0103A050 | --- | Термисторы – отрицательный температурный коэффициент | --- |
|
|
|
|
3N243 | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|
|
|
|
XPGWHT-U1-R250-009E7 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|