BFU710F,115

BFU710F,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BFU710F,115
Описание: РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 428467.pdf
Детальное описание компонента BFU710F,115
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1 V Непрерывный коллекторный ток 10 mA
Рассеяние мощности 136 mW Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-343 Упаковка Reel
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 2.8 V Максимальная рабочая частота 110 GHz

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3869EGJ MAX3869EGJ Maxim Integrated Products Аппаратный драйвер лазера 3.3V 2.5Gbps SDH/ SONET Аппаратный драйвер лазера 5543996.pdf
NCS2202SQ2T2G NCS2202SQ2T2G ON Semiconductor ИС, компараторы ANA COMPARATORS ---
UC3709NG4 UC3709NG4 --- Схемы управления питанием ---
PMR4RDW10.5-CC PMR4RDW10.5-CC --- Светодиодная индикация ---
WP7113SET WP7113SET --- Светодиодная индикация ---