PTFB212503EL V2
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | PTFB212503EL V2 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9 | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента PTFB212503EL V2 | |||
| Конфигурация | Single | Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.05 Ohms |
|---|---|---|---|
| Напряжение пробоя сток-исток | 65 V | Напряжение пробоя затвор-исток | 10 V |
| Непрерывный ток стока | 1.85 A | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Упаковка / блок | H-33288-6 | Упаковка | Tray |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C | Другие названия товара № | FB212503ELV2NP |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FSM105 | Rectron | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) GP Fast Rec Si Rect 1A,600V,250ns | 3872597.pdf |
|
|
|
|
TNY266GN-TL | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
M5-128/120-12YC | --- | Программируемые логические интегральные схемы | --- |
|
|
|
|
LM96570SQX/NOPB | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
26732 | --- | Инструменты | --- |
|