BG 3130R E6327

BG 3130R E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3130R E6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3130R E6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 8 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.025 A Рассеяние мощности 200 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 9000
Другие названия товара № BG3130RE6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
L016N002AYYHET0000 L016N002AYYHET0000 Vishay/Dale Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие Yel/Grn Transflect Yel/Grn LED 4745385.pdf
AP-SAFD18DPA008GS-EM AP-SAFD18DPA008GS-EM Apacer Твердотельные накопители (SSD) SAFD 18SM SATA FLASH DRIVE MLC 8GB STD 1686005.pdf
DAC8565ICPW DAC8565ICPW Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16B Quad Ch Ultra-Lo Glitch Vltg Output 653160.pdf
106004-3594 106004-3594 Molex Волоконно-оптические соединители MET SPX BEZEL AD KIT TAB N/LG SC-SC(PhSL 5934049.pdf
MC68020RC16E MC68020RC16E --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---