BG 3130R E6327

BG 3130R E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3130R E6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3130R E6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 8 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.025 A Рассеяние мощности 200 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 9000
Другие названия товара № BG3130RE6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
74ALVC374D,112 74ALVC374D,112 NXP Semiconductors Триггеры 3.3V D-TYPE +EDGE 7803388.pdf
MC8641DHX1500KB MC8641DHX1500KB --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---
AQY221R2S AQY221R2S --- Оптопары и оптроны ---
6121-492 6121-492 --- Мультиметры и вольтметры ---
QUP12ZC QUP12ZC --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---