BG 3130R E6327

BG 3130R E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3130R E6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3130R E6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 8 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.025 A Рассеяние мощности 200 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 9000
Другие названия товара № BG3130RE6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CD4085BMTE4 CD4085BMTE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) CMOS Dual 2W 2In AND-OR-INVERT Gate 8261812.pdf
74ALVC16835DGGRE4 74ALVC16835DGGRE4 Texas Instruments Функции универсальной шины 18-Bit Univ Bus Drv With 3-State Outputs 5620822.pdf
LM2575T-5G LM2575T-5G --- Схемы управления питанием ---
LM185BYH-1.2 LM185BYH-1.2 --- Схемы управления питанием ---
CY7B994V-5AXIT CY7B994V-5AXIT --- RF Semiconductors ---