BG 3430R E6327

BG 3430R E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3430R E6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RF MOSFET 25mA 200mW
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3430R E6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 8 V Напряжение пробоя затвор-исток +/- 6 V
Непрерывный ток стока 0.025 A Рассеяние мощности 200 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 9000
Другие названия товара № BG3430RE6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
S6S1RP S6S1RP Littelfuse Комплектные тиристорные устройства (SCR) Sensing 149095.pdf
MAX864EEE-T MAX864EEE-T --- Схемы управления питанием ---
YPDL0600T YPDL0600T --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
70S2-04-B-03-V 70S2-04-B-03-V --- Оптопары и оптроны ---
1-1963560-2 1-1963560-2 --- Радиаторы ---