BG 3123R E6327

BG 3123R E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3123R E6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3123R E6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 8 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.025 A Рассеяние мощности 200 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 12000
Другие названия товара № BG3123RE6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX527CCWG+T MAX527CCWG+T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12-Bit 4Ch Precision DAC 2379802.pdf
AT28BV64B-20SI AT28BV64B-20SI --- Микросхемы памяти ---
PS2561L1-1-A PS2561L1-1-A --- Оптопары и оптроны ---
NJ3FP6P-BAG NJ3FP6P-BAG --- Аудио и видео разъемы ---
337-024-500-202 337-024-500-202 --- Прямоугольные разъемы ---