BG 3123R E6327

BG 3123R E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3123R E6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3123R E6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 8 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.025 A Рассеяние мощности 200 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 12000
Другие названия товара № BG3123RE6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX267BEWG+ MAX267BEWG+ Maxim Integrated Products Active Filter Pin-Prog Universal Switched-Cap 9265138.pdf
CD74HC151MTE4 CD74HC151MTE4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Hi-Speed CMOS Logic 8-Input Multiplexer 3149674.pdf
FAN102MY FAN102MY --- Схемы управления питанием ---
ZR78L07CL ZR78L07CL --- Схемы управления питанием ---
MAX6463UR41+T MAX6463UR41+T --- Схемы управления питанием ---