BLF6G20LS-110 /T3
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BLF6G20LS-110 /T3 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BLF6G20LS-110 /T3 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.16 Ohms | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | 13 V | Непрерывный ток стока | 29 A |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT502B | Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 100 |
| Другие названия товара № | BLF6G20LS-110,118 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRKH57/08P | Vishay Semiconductors | Модули КТУ (SCR) 800 Volt 60 Amp | --- |
|
|
 |
74ABT20PW-T | NXP Semiconductors | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) DUAL 4-INPUT NAND GATE | 8363914.pdf |
|
|
 |
AT29C256-90TC | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
4475-1quart | --- | Химикаты | --- |
|
|
|
|
162GB16E2461PZ | --- | Цилиндрические разъемы | --- |
|