BLF6G10LS-160 /T3
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BLF6G10LS-160 /T3 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BLF6G10LS-160 /T3 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.07 Ohms | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | 13 V | Непрерывный ток стока | 39 A |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT502B | Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 100 |
| Другие названия товара № | BLF6G10LS-160,118 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Si4840-DEMO | Silicon Labs | Радиочастотные средства разработки Si4840 Demo and Eval Board | 1075736.pdf |
|
|
 |
072541 50 | Honeywell / Hobbs | Лампы Replacement SB 4x6 24 vdc Wide | 6433766.pdf |
|
|
|
|
S-80838CNNB-B8XT2G | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
MC100EP140DR2 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
CLA1B-MKW-XD0F0A73 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|