BG 3130 E6327
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BG 3130 E6327 | ||
Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BG 3130 E6327 | |||
Конфигурация | Dual | Полярность транзистора | N-Channel |
---|---|---|---|
Напряжение пробоя сток-исток | 8 V | Напряжение пробоя затвор-исток | 6 V |
Непрерывный ток стока | 0.025 A | Рассеяние мощности | 200 mW |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SOT-363 | Упаковка | Reel |
Минимальная рабочая температура | - 55 C | Размер фабричной упаковки | 9000 |
Другие названия товара № | BG3130E6327XT |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MP3360DG-LF-P | Monolithic Power Systems (MPS) | Display Drivers 300V Xenon Flash Charg & IGBT Drvr | --- |
|
||
MAX9505EEE-T | Maxim Integrated Products | Видеоусилители | 2622702.pdf |
|
||
SN74LS123DE4 | Texas Instruments | Ждущий мультивибратор Dual retrig monostbl multivibrators | 3719143.pdf |
|
||
CAT24WC01JI | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
B57867S502J140 | --- | Термисторы – отрицательный температурный коэффициент | --- |
|