BG 3130 E6327

BG 3130 E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3130 E6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3130 E6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 8 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.025 A Рассеяние мощности 200 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 9000
Другие названия товара № BG3130E6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MP3360DG-LF-P MP3360DG-LF-P Monolithic Power Systems (MPS) Display Drivers 300V Xenon Flash Charg & IGBT Drvr ---
MAX9505EEE-T MAX9505EEE-T Maxim Integrated Products Видеоусилители 2622702.pdf
SN74LS123DE4 SN74LS123DE4 Texas Instruments Ждущий мультивибратор Dual retrig monostbl multivibrators 3719143.pdf
CAT24WC01JI CAT24WC01JI --- Микросхемы памяти ---
B57867S502J140 B57867S502J140 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---