BLF6G10LS-200,112

BLF6G10LS-200,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-200,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BLF6G10LS-200,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 49 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10LS-200

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
G3SBA60L-E3/51 G3SBA60L-E3/51 Vishay Semiconductors Мостовые выпрямители 600 Volt 4.0 Amp Glass Passivated 2849044.pdf
SN74AHCT32PWR SN74AHCT32PWR Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-Input Pos 8065685.pdf8065686.pdf
MAX6766TTVD4+T MAX6766TTVD4+T --- Схемы управления питанием ---
SN74CBT3345PWRE4 SN74CBT3345PWRE4 --- Коммутационные микросхемы ---
SSI-LXR3612YD-300 SSI-LXR3612YD-300 --- Светодиодная индикация ---