BLF4G20S-110B,112

BLF4G20S-110B,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF4G20S-110B,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 401042.pdf
Детальное описание компонента BLF4G20S-110B,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.09 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 15 V Непрерывный ток стока 12 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок LDMOST-3 Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF4G20S-110B

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AC4790-1X1 AC4790-1X1 Laird Technologies Wireless M2M Радиочастотные модули 900MHz SMT FHSS mod Not FCC Approved 1966992.pdf
BAS16 T&R OF 3000 PCS BAS16 T&R OF 3000 PCS Rectron Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) USE 625-BAS16 SOT-23 SIL SIG DIODE 3911471.pdf
RN1118MFV(TPL3) RN1118MFV(TPL3) Toshiba Transistors Switching (Resistor Biased) 50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms 9512568.pdf
MAX7448EUD+T MAX7448EUD+T Maxim Integrated Products Активный фильтр Integrated Circuits (ICs) ---
ESU2-400 ESU2-400 Quatech ИС, интерфейс USB 8Port USB-RS-232/422 /485 Serial Adapter ---