BLF6G10LS-200

BLF6G10LS-200
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-200
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BLF6G10LS-200
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 49 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10LS-200,112

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
THS4131IDG4 THS4131IDG4 Texas Instruments Дифференциальные усилители Fully Differential I/O Low Noise Amp 589815.pdf
MAX9719AEBE+T MAX9719AEBE+T Maxim Integrated Products Усилители звука Mono/Stereo 1.4W BTL Audio Power Amp 3955656.pdf
TAS5112DFDRG4 TAS5112DFDRG4 Texas Instruments Усилители звука Dig Amp Stereo Power Stage 5645915.pdf
MAX6441KACIRD3+T MAX6441KACIRD3+T --- Схемы управления питанием ---
MP1530DQ-LF-P MP1530DQ-LF-P --- Схемы управления питанием ---