BG 3123 E6327

BG 3123 E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3123 E6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3123 E6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 8 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.025 A Рассеяние мощности 200 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 15000
Другие названия товара № BG3123E6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
WI.M900X-R WI.M900X-R Linx Technologies Радиочастотные модули 915 MHz RF MODULE Modu152kbit/s 1983173.pdf
CAT9554WI-GT2 CAT9554WI-GT2 ON Semiconductor Расширители ввода/вывода, ретрансляторы и концентраторы I2C/SMBUS Expander 8B,w/Int ---
LS K376-T1U2-1 LS K376-T1U2-1 --- Светодиодная индикация ---
MC1489D1013TR MC1489D1013TR --- Логические микросхемы ---
PEC12-4025F-S0024 PEC12-4025F-S0024 --- Кодеры ---