BG 3123 E6327
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BG 3123 E6327 | ||
Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BG 3123 E6327 | |||
Конфигурация | Dual | Полярность транзистора | N-Channel |
---|---|---|---|
Напряжение пробоя сток-исток | 8 V | Напряжение пробоя затвор-исток | 6 V |
Непрерывный ток стока | 0.025 A | Рассеяние мощности | 200 mW |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SOT-363 | Упаковка | Reel |
Минимальная рабочая температура | - 55 C | Размер фабричной упаковки | 15000 |
Другие названия товара № | BG3123E6327XT |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
WI.M900X-R | Linx Technologies | Радиочастотные модули 915 MHz RF MODULE Modu152kbit/s | 1983173.pdf |
|
||
CAT9554WI-GT2 | ON Semiconductor | Расширители ввода/вывода, ретрансляторы и концентраторы I2C/SMBUS Expander 8B,w/Int | --- |
|
||
LS K376-T1U2-1 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
MC1489D1013TR | --- | Логические микросхемы | --- |
|
||
PEC12-4025F-S0024 | --- | Кодеры | --- |
|