BG 3123 E6327

BG 3123 E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3123 E6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3123 E6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 8 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.025 A Рассеяние мощности 200 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 15000
Другие названия товара № BG3123E6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX5942BESE+ MAX5942BESE+ Maxim Integrated Products ИС, контроллер интерфейса ввода вывода IEEE 802.3af POE Int/PWM Controller 9440044.pdf
PSD813F2A-15JI PSD813F2A-15JI --- Программируемые логические интегральные схемы ---
561-5101-050 561-5101-050 --- Светодиодная индикация ---
6N137-X006 6N137-X006 --- Оптопары и оптроны ---
K42-B25S/P-A K42-B25S/P-A --- Субминиатюрные соединители ---