BLF4G10LS-160,112

BLF4G10LS-160,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF4G10LS-160,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 394407.pdf
Детальное описание компонента BLF4G10LS-160,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.065 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 15 V Непрерывный ток стока 15 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок LDMOST-3 Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF4G10LS-160

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
P0102DA 5AL3 P0102DA 5AL3 STMicroelectronics Комплектные тиристорные устройства (SCR) 0.8 Amp 400 Volt 157069.pdf
PTFA241301E V1 PTFA241301E V1 Infineon Technologies РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8 ---
CAT5113ZI-10-T3 CAT5113ZI-10-T3 ON Semiconductor ИС, цифровые потенциометры DPP,NV 100 taps Up/Down ---
MAX14770EATA+T MAX14770EATA+T Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-485 PROFIBUS RS-485 Transceiver 6039588.pdf
MC14052BDG MC14052BDG --- Коммутационные микросхемы ---