BF1210 T/R

BF1210 T/R
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF1210 T/R
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала TAPE-7 MOS-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BF1210 T/R
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 6 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.03 A Рассеяние мощности 180 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок UMT-6 Упаковка Reel - 7 in
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 3000
Другие названия товара № BF1210,115

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TSW3003EVM TSW3003EVM Texas Instruments Радиочастотные средства разработки DAC RF MODULATION ---
ZICM0868P0-1C-B ZICM0868P0-1C-B CEL Радиочастотные модули 868MHZ W/WIRE ANT. -40C +85C 3.3VOLT 2107841.pdf
TSC2007IPWRG4 TSC2007IPWRG4 Texas Instruments Преобразователи и контроллеры для сенсорных экранов Nano-Power w/ I2C Serial Interface 4399576.pdf
MC74LCX374DWR2 MC74LCX374DWR2 ON Semiconductor Триггеры 2-3.6V CMOS Octal ---
MM74HCT08N MM74HCT08N Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Qd 2-Input AND Gate 8108031.pdf