BLF4G10LS-120,112

BLF4G10LS-120,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF4G10LS-120,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 386209.pdf
Детальное описание компонента BLF4G10LS-120,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.09 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 15 V Непрерывный ток стока 12 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок LDMOST-3 Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF4G10LS-120

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-CF001GE3FR-ETNDNRJ AP-CF001GE3FR-ETNDNRJ Apacer Карты памяти CFC 3 EXT 1GB IND COMPACT FLASH CARD ---
BTA204W-800E /T3 BTA204W-800E /T3 NXP Semiconductors Триаки TAPE13 TRIAC ---
HSMV-A100-S80J1 HSMV-A100-S80J1 --- Светодиодная индикация ---
B65807J0000R045 B65807J0000R045 --- ЭМП и РЧП ---
HM2H09P1LF HM2H09P1LF --- Прямоугольные разъемы ---