BLF4G10LS-120,112

BLF4G10LS-120,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF4G10LS-120,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 386209.pdf
Детальное описание компонента BLF4G10LS-120,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.09 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 15 V Непрерывный ток стока 12 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок LDMOST-3 Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF4G10LS-120

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MCP73855EV MCP73855EV Microchip Technology Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием MCP78355 Li-Ion BATT Charger EVAL BRD 9741729.pdf
PN-F672-E3 PN-F672-E3 Lattice Панели и адаптеры Socket Adapter for LatticeECP3 679032.pdf
VSKT42/16P VSKT42/16P Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 1600 Volt 45 Amp ---
MAX5250ACAP+ MAX5250ACAP+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 10-Bit 4Ch Precision DAC 712479.pdf712499.pdf
MAX6442KAEIYD7+T MAX6442KAEIYD7+T --- Схемы управления питанием ---