BLF6G20-110
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BLF6G20-110 | ||
Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS | ||
Производитель: | NXP Semiconductors | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BLF6G20-110 | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
---|---|---|---|
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.16 Ohms | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
Напряжение пробоя затвор-исток | 13 V | Непрерывный ток стока | 29 A |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SOT502B | Упаковка | Tube |
Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 20 |
Другие названия товара № | BLF6G20-110,112 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
DAC8831ICDRG4 | Texas Instruments | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit Ultra-Lo Pwr Vltg Output Cnvtr | 2121671.pdf |
|
||
MAX2320EUP+ | --- | RF Semiconductors | --- |
|
||
556-3103-807 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
LTSN-LYT676 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
DFCB31G96LBJAC-RB3 | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|