BLF4G22S-100,112

BLF4G22S-100,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF4G22S-100,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 384612.pdf
Детальное описание компонента BLF4G22S-100,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.09 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 15 V Непрерывный ток стока 12 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок LDMOST-3 Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF4G22S-100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
F1827CCD1600 F1827CCD1600 Crydom Дискретные полупроводниковые модули MOD DIODE 25A 600VAC 4397068.pdf
OXUF924DSB-FBAG OXUF924DSB-FBAG PLX Technology Периферийные ИС и компоненты (PCI) IEEE1394b & USB2 to Dual SATA Brdg Cont. ---
B59100C120A70 B59100C120A70 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
MA580R5CBN MA580R5CBN --- Конденсаторы ---
T530X477M006ATE T530X477M006ATE --- Конденсаторы ---