BLF6G10LS-200R /T3

BLF6G10LS-200R /T3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-200R /T3
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BLF6G10LS-200R /T3
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 0.5 V to + 13 V Непрерывный ток стока 49 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Reel - 13 in
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 100
Другие названия товара № BLF6G10LS-200R,118

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TLV2352IPWR TLV2352IPWR Texas Instruments ИС, компараторы Dual Differential 9506817.pdf
LW T673-P2R1-3K6L-Z LW T673-P2R1-3K6L-Z --- Светодиодная индикация ---
93055-SWR 93055-SWR --- Инструменты ---
V56ZS05P V56ZS05P --- Варисторы ---
86098-09-D-18M 86098-09-D-18M --- Испытательные соединители ---