BLF6G10LS-200R /T3

BLF6G10LS-200R /T3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-200R /T3
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BLF6G10LS-200R /T3
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 0.5 V to + 13 V Непрерывный ток стока 49 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Reel - 13 in
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 100
Другие названия товара № BLF6G10LS-200R,118

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NHD-2.23-12832UCB3 NHD-2.23-12832UCB3 Newhaven Display Дисплеи на органических светодиодах (OLED) OLED 128 x 32 Blue 63.2 x 43.1 x 6.0 4598646.pdf
TD162N14KOF TD162N14KOF Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 1400V 260A ---
MC74HC174ANG MC74HC174ANG ON Semiconductor Триггеры 2-6V CMOS Hex D-Type w/Clock ---
AML59-RK20R AML59-RK20R --- Светодиодная индикация ---
PVT422S-TPBF PVT422S-TPBF --- Оптопары и оптроны ---