BLF4G20LS-110B
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BLF4G20LS-110B | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | 377593.pdf | ||
| Детальное описание компонента BLF4G20LS-110B | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.09 Ohms | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | 15 V | Непрерывный ток стока | 12 A |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | LDMOST-3 | Упаковка | Tube |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 20 |
| Другие названия товара № | BLF4G20LS-110B,112 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CAV24C04YE-GT3 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
MAX6432CJUS+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
15DKD20 | --- | Конденсаторы | --- |
|
|
|
|
108-1003-001 | --- | Комплектующие для испытательного оборудования | --- |
|
|
|
|
ERZ-VGAD681 | --- | Варисторы | --- |
|