BLF6G38-10G,112

BLF6G38-10G,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G38-10G,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 366568.pdf
Детальное описание компонента BLF6G38-10G,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 1.256 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 3.1 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CDFM Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 60
Другие названия товара № BLF6G38-10G

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SKP06N60 SKP06N60 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 6A ---
74ACT161SJ_Q 74ACT161SJ_Q Fairchild Semiconductor ИС, счетчики Syn Binary Counter ---
MP3209DJ-LF-Z MP3209DJ-LF-Z --- Схемы управления питанием ---
CGS442U035R2C CGS442U035R2C --- Конденсаторы ---
D-602-54 D-602-54 --- Субминиатюрные соединители ---