BF1208D,115
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BF1208D,115 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала TAPE-7 MOS-RFSS | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | 365894.pdf | ||
| Детальное описание компонента BF1208D,115 | |||
| Конфигурация | Dual | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Напряжение пробоя сток-исток | 6 V | Напряжение пробоя затвор-исток | 6 V |
| Непрерывный ток стока | 30 mA | Рассеяние мощности | 180 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SS-Mini-6 | Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Другие названия товара № | BF1208D T/R | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDP18E120 | Infineon Technologies | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 18A | --- |
|
|
|
|
DZ600N16K | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 1150A | --- |
|
|
 |
INA103KUG4 | Texas Instruments | Измерительные усилители Lo Noise Lo Distort Instrum Amp | 1322485.pdf |
|
|
|
|
MA4530-7104 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
Si4702-C19-GM | --- | RF Semiconductors | --- |
|