BLF369,112

BLF369,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF369,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RF LDMOS 65V 100A
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 363971.pdf
Детальное описание компонента BLF369,112
Конфигурация Dual Dual Source Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.04 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT502B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 15 Другие названия товара № BLF369

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LQ150X1LGN2E LQ150X1LGN2E Sharp Microelectronics Тонкопленочные дисплеи и принадлежности 15.0" TFT XGA with LVDS Interface ---
E-ULQ2003D1013TR E-ULQ2003D1013TR STMicroelectronics Transistors Darlington Seven NPN Array ---
MAX971ESA+ MAX971ESA+ Maxim Integrated Products ИС, компараторы Single Comparator / Reference 9471221.pdf
CD74HCT173MTG4 CD74HCT173MTG4 Texas Instruments Триггеры Hi Speed CMOS Logic Quad D-Type 6600154.pdf
74VCX08MTC_Q 74VCX08MTC_Q Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Qd 2-Input AND Gate 4849516.pdf