BLF6G10-45,112

BLF6G10-45,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10-45,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 363715.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10-45,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.2 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 0.5 V, 13 V Непрерывный ток стока 13 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CDFM Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10-45

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
T-55382GD050JU-LW-A-AAN T-55382GD050JU-LW-A-AAN Optrex Тонкопленочные дисплеи и принадлежности 5.0" WVGA 320nit H B LED B/L w/Touch 4626434.pdf
LPC-H2148 LPC-H2148 Olimex Ltd. Макетные платы и комплекты - ARM HDR BRD FOR LPC2148 ---
LMP7712MME/NOPB LMP7712MME/NOPB National Semiconductor (TI) Специальные усилители 1991960.pdf
93LC66CT-E/MSG 93LC66CT-E/MSG --- Микросхемы памяти ---
NCP1217D133R2G NCP1217D133R2G --- Схемы управления питанием ---