BLF6G10-45,112

BLF6G10-45,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10-45,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 363715.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10-45,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.2 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 0.5 V, 13 V Непрерывный ток стока 13 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CDFM Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10-45

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LK204-25-422-GW-VPT LK204-25-422-GW-VPT Matrix Orbital Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие 20x4 L. Blu Txt Blk B/Gvolt Reg. 5305483.pdf
Z0402DF 1AA2 Z0402DF 1AA2 STMicroelectronics Триаки 4.0 Amp 400 Volt 251798.pdf
MAX6442KACHSD3-T MAX6442KACHSD3-T --- Схемы управления питанием ---
ispLSI 2032A-135LT48 ispLSI 2032A-135LT48 --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MAX305EPE MAX305EPE --- Коммутационные микросхемы ---