BLF6G10LS-200R,118

BLF6G10LS-200R,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-200R,118
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BLF6G10LS-200R,118
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 0.5 V to + 13 V Непрерывный ток стока 49 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 100
Другие названия товара № /T3 BLF6G10LS-200R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
A2106UB6RP A2106UB6RP Littelfuse Сидаки 6Chp 170/250V 80A 195307.pdf
SN74LS597NSRG4 SN74LS597NSRG4 Texas Instruments Регистры сдвига счетчика Serial out shift registers 2272207.pdf
DM74AS257SJX DM74AS257SJX Fairchild Semiconductor Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Selector/Multiplexer Quad Line Data ---
CD74HCT32MT CD74HCT32MT Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Hi-Speed CMOS Logic Quad 2-Inp OR Gate 8151621.pdf
MAX6441KACIWD3-T MAX6441KACIWD3-T --- Схемы управления питанием ---