BF 998R E6327
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BF 998R E6327 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N_Channel MOSFET Tetrode | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BF 998R E6327 | |||
| Конфигурация | Single Dual Gate | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Напряжение пробоя сток-исток | 12 V | Напряжение пробоя затвор-исток | +/- 8 V |
| Непрерывный ток стока | 0.03 A | Рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-143R | Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Размер фабричной упаковки | 9000 |
| Другие названия товара № | BF998RE6327HTSA1 BF998RE6327HTSA1, BF998RE6327XT SP000010979, | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGPF70N30TDTU | Fairchild Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 300V 70A PDP | 9302147.pdf |
|
|
 |
PAT0510S-C-6DB-T10 | Susumu | Attenuators (ICs) 6dB 50ohm | 9384295.pdf |
|
|
|
|
M24C16-RDW6TP | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
AT93C46C-10SI-2.5 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
NCP1217D65R2G | --- | Схемы управления питанием | --- |
|