BLF6G27-10G,112

BLF6G27-10G,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G27-10G,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 354366.pdf
Детальное описание компонента BLF6G27-10G,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 1.256 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 3.5 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CDFM Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 60
Другие названия товара № BLF6G27-10G

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PDTC115EM T/R PDTC115EM T/R NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET TAPE-7 ---
CY74FCT574CTQCTE4 CY74FCT574CTQCTE4 Texas Instruments Триггеры Octal Edge-Trig D-Ty F-F W/3-State Otpt 7812056.pdf
SB-0465-0250-2C SB-0465-0250-2C --- Гибкие осветительные полосы ---
550S003M2R3K0G04 550S003M2R3K0G04 --- Субминиатюрные соединители ---
424-029-521-122 424-029-521-122 --- Прямоугольные разъемы ---