BLF6G27-10G,112

BLF6G27-10G,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G27-10G,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 354366.pdf
Детальное описание компонента BLF6G27-10G,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 1.256 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 3.5 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CDFM Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 60
Другие названия товара № BLF6G27-10G

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
M29W800DT70N6 M29W800DT70N6 --- Микросхемы памяти ---
B57238S150M51 B57238S150M51 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
NT4R1600 NT4R1600 --- Прямоугольные разъемы ---
RM1032MS100BK RM1032MS100BK --- Электронное оборудование ---
MCM01-009D4R7D-F MCM01-009D4R7D-F --- Конденсаторы ---