BLF6G10LS-200R,112

BLF6G10LS-200R,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-200R,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BLF6G10LS-200R,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 0.5 V to + 13 V Непрерывный ток стока 49 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10LS-200R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SW300004 SW300004 Microchip Technology Программное обеспечение для разработки dsPIC30F V.32 ---
ST303C12LFK1 ST303C12LFK1 Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 515 Amp 1200 Volt 995 Amp IT(RMS) ---
MAX6442KAEGTD7+T MAX6442KAEGTD7+T --- Схемы управления питанием ---
LC4128ZC-75M132I LC4128ZC-75M132I --- Программируемые логические интегральные схемы ---
C4SMF-BJF-CS24Q3T2 C4SMF-BJF-CS24Q3T2 --- Светодиодная индикация ---