BLF6G10LS-200R,112
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BLF6G10LS-200R,112 | ||
Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS | ||
Производитель: | NXP Semiconductors | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BLF6G10LS-200R,112 | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
---|---|---|---|
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.06 Ohms | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
Напряжение пробоя затвор-исток | - 0.5 V to + 13 V | Непрерывный ток стока | 49 A |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SOT502B | Упаковка | Tube |
Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 20 |
Другие названия товара № | BLF6G10LS-200R |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
SW300004 | Microchip Technology | Программное обеспечение для разработки dsPIC30F V.32 | --- |
|
||
ST303C12LFK1 | Vishay Semiconductors | Модули КТУ (SCR) 515 Amp 1200 Volt 995 Amp IT(RMS) | --- |
|
||
MAX6442KAEGTD7+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
LC4128ZC-75M132I | --- | Программируемые логические интегральные схемы | --- |
|
||
C4SMF-BJF-CS24Q3T2 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|