BLF6G10LS-200R,112

BLF6G10LS-200R,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-200R,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BLF6G10LS-200R,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 0.5 V to + 13 V Непрерывный ток стока 49 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10LS-200R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CDB35L00 CDB35L00 Cirrus Logic Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров Mono Low Power Amplifier 9250624.pdf
MAX3222ECUP+ MAX3222ECUP+ Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 3-5.5V 1Mbps Transceiver 5108569.pdf5108574.pdf
74LVQ273SC 74LVQ273SC Fairchild Semiconductor Триггеры Oct D-Type Flip-Flop ---
BCR 410W E6327 BCR 410W E6327 --- Схемы управления питанием ---
ABA-54563-TR1G ABA-54563-TR1G --- RF Semiconductors ---