BLF3G21-6,112

BLF3G21-6,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF3G21-6,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 351013.pdf
Детальное описание компонента BLF3G21-6,112
Конфигурация Single Полярность транзистора P-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 2.07 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V Непрерывный ток стока 2.3 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CDIP SMT Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF3G21-6

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FG-23742-150 FG-23742-150 --- Микрофоны ---
CDNF16AT3 CDNF16AT3 --- Держатели предохранителей, зажимы и аппаратура ---
STLM20DD9F STLM20DD9F --- Board Mount Sensors ---
1555DGY 1555DGY --- Кожухи, коробки и корпуса ---
F18X F18X --- Трансформаторы ---