BLF6G22-180PN,112

BLF6G22-180PN,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22-180PN,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 349449.pdf
Детальное описание компонента BLF6G22-180PN,112
Конфигурация Dual Common Source Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.165 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT502B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF6G22-180PN

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CD4511BNSRE4 CD4511BNSRE4 Texas Instruments Драйверы светодиодных дисплеев BCD to 7 Segment 4082685.pdf
NHD-0220DZW-AG5 NHD-0220DZW-AG5 Newhaven Display Дисплеи на органических светодиодах (OLED) OLED 2x20 Green 116.0 x 37.0 4596365.pdf
TD111F08KEC TD111F08KEC Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 800V 200A ---
DTA124TSATP DTA124TSATP ROHM Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) PNP 50V 100MA 9211507.pdf
MAX6441KADIYD3-T MAX6441KADIYD3-T --- Схемы управления питанием ---