BLF6G27-10,112
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BLF6G27-10,112 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | 348326.pdf | ||
| Детальное описание компонента BLF6G27-10,112 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 1.256 Ohms | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | 13 V | Непрерывный ток стока | 3.5 A |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | CDFM | Упаковка | Tube |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 60 |
| Другие названия товара № | BLF6G27-10 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PTFB211803EL V1 | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9 | --- |
|
|
 |
INA206AID | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
4430.0431 | --- | Автоматические выключатели | --- |
|
|
|
|
PS7200R-1A-F3-A | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|
|
|
|
35510 | --- | Антистатический контроль | --- |
|