BLF6G27-10,112

BLF6G27-10,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G27-10,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 348326.pdf
Детальное описание компонента BLF6G27-10,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 1.256 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 3.5 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CDFM Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 60
Другие названия товара № BLF6G27-10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CA11186_Strada-DN-XR-tape CA11186_Strada-DN-XR-tape Ledil Линзы для осветительных светодиодов CREE XR SNGL LENS TAPE ---
TDA8933T/N1,118 TDA8933T/N1,118 NXP Semiconductors Усилители звука 2X10W BTL CLASS D ---
74VHC00MTCX 74VHC00MTCX Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Qd 2-Input NAND Gate 7995056.pdf
SST39SF040-45-4C-WHE-T SST39SF040-45-4C-WHE-T --- Микросхемы памяти ---
BCBCT-04-00F BCBCT-04-00F --- Автоматические выключатели ---