BLF6G20LS-110,112

BLF6G20LS-110,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G20LS-110,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 346674.pdf
Детальное описание компонента BLF6G20LS-110,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 29 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G20LS-110

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS1921G-F5+A0D DS1921G-F5+A0D Maxim Integrated Products Контактная память 1530006.pdf
FD300R12KS4 FD300R12KS4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 370A ---
BDW42 BDW42 ON Semiconductor Transistors Darlington 15A 100V Bipolar ---
MAX4031EEUD+T MAX4031EEUD+T Maxim Integrated Products Быстродействующие операционные усилители 144MHz Dual/Triple w/ESD Protection 1014481.pdf
CD40147BNSR CD40147BNSR Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 10 to 4-Line BCD Priority Encoder 3893352.pdf