BLF6G20LS-110,112

BLF6G20LS-110,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G20LS-110,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 346674.pdf
Детальное описание компонента BLF6G20LS-110,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 29 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G20LS-110

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS1703K-KIT DS1703K-KIT Maxim Integrated Products Инструменты разработки температурного датчика 1272419.pdf
CN4790-1000-232-SP CN4790-1000-232-SP Laird Technologies Wireless M2M Радиочастотные модули ConnexNet STARTER PACK - PEER TO PEER 2123115.pdf
BYV25D-600,118 BYV25D-600,118 NXP Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 5A 3559962.pdf
Si8460AB-B-IS1 Si8460AB-B-IS1 Silicon Labs ИС, развязывающий интерфейс 6 Ch 2.5kV Isolator 1M 6/0 7723517.pdf7723518.pdf
1812-50F 1812-50F --- Инструменты ---